9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV21W-G3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV21W-G3-08参考价格为0.33000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV21W-G3-08封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123。您可以下载BAV21W-G3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV21W-E3-08是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）替代包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于SOD-123，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SOD-123中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有200V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（Max）。
BAV21W-E3-18带有用户指南，其中包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则供应商设备包如SOD-123中使用的数据表说明所示，该产品提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为SOD-123，其工作温度结范围为175°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz。
BAV21W-7-G，电路图由DIODES制造。BAV21W-7-G采用SOD123封装，是IC芯片的一部分。
