9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAS116TT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS116TT1G参考价格为0.23000美元。onsemi BAS116TT1G包装/规格：DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75。您可以下载BAS116TT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS116T-7-F是DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523，包括BAS116系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000071盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-523包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOT-523，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5nA@75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，电压直流反向Vr Max为85V，电流平均整流Io为215mA（DC），反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为0.15 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，0.15 A时Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为85 V，在75V时Ir反向电流为0.005uA，如果正向电流为0.215A，最大浪涌电流为4A，恢复时间为3000ns。
BAS116T，115是DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SC-75，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为3μs，与Digi-ReelR封装一样，该器件也可以用作SC-75、SOT-416封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件采用表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5nA@75V，电流平均整流Io为215mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAS116T-7是DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于215MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5nA@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该装置也可用作SOT-523包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），该设备提供3μs反向恢复时间trr，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为SOT-523，电压直流反向Vr最大值为85V，电压正向Vf最大值为1.25V@150mA。
