9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-50WQ06FNTR-M3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-50WQ06FNTR-M3参考价格为0.81000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-50WQ06FNTR-M3封装/规格:DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK。您可以下载VS-50WQ06FNTR-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-50WQ06FNTRLPBF是DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK,包括肖特基整流器产品,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作,数据表中显示了用于50WQ06FN TRLPBF的零件别名,该产品提供单位重量功能,例如0.010582盎司,安装样式设计为在SMD/SMT中工作,以及to-252-3,DPAK(2引线+标签),SC-63封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备采用D-PAK(TO-252AA)供应商设备包,该设备具有单双阳极配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为3mA@60V,电压正向Vf Max If为570mV@5A,电压反向Vr Max为60V,电流平均整流Io为5.5A,电容Vr F为360pF@5V,1MHz,工作温度结范围为-40°C ~ 150°C,最大工作温度范围为+150°C,最小工作温度范围-40°C,10 A时Vf正向电压为0.74 V,Ir反向电流为3000 uA,如果正向电流为5.5 A,Vrm重复反向电压为60V,Ifsm正向浪涌电流为320A。
VS-50WQ06FNTRLHM3,带用户指南,包括570mV@5A电压正向Vf Max。如果设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于D-PAK(to-252AA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,DPak(2引线+接线片),SC-63封装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有3mA@60V的反向电流泄漏Vr,平均整流电流Io为5.5A,电容Vr F为360pF@5V,1MHz。
VS-50WQ06FNTRL-M3,带电路图,包括360pF@5V、1MHz电容Vr F,它们设计用于5.5A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于3mA@60V,提供肖特基等二极管型功能,安装型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-40°C~150°C,该器件也可以用作TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,设备具有供应商设备包装的D-PAK(TO-252AA),电压DC反向Vr最大值为60V,电压正向Vf最大值为570mV@5A。