9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1MHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1MHE3_A/H参考价格为0.45000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1MHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC。您可以下载S1MHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S1MHE3_A/H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S1MFP带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于无恢复时间整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000363盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-55℃至+150℃，该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123HE供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.3V@1.2A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为18pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为1kV，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1.2A，则最大浪涌电流为50A。
S1MHE3/5AT是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为1A。
S1MHE3/61T是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在1000V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC，SMA包装盒，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为1.8μs，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），该设备具有供应商设备包的DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
