9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV21WS-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV21WS-E3-18参考价格0.32000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV21WS-E3-18封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323。您可以下载BAV21WS-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV21WS-E3-08是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）替代包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于SC-76、SOD-323，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计为在SOD-323中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，器件提供1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有200V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（Max）。
BAV21WS-7-F是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323，包括1.25V@200MA正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为50ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA，并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAV21WS-7-G，电路图由DIDDES制造。BAV21WS-7-G采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
