9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAS21M3T5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS21M3T5G参考价格$0.300000。onsemi BAS21M3T5G包装/规格：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723。您可以下载BAS21M3T5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BAS21M3T5G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BAS21LT1G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOT-23-2（to-236），速度设计用于小信号=，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供250V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS21LT3G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在250V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOT-23-3（to-236）的供应商设备包，该SOT-23-1提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为50ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAS21LT3，带有MOTOROLA制造的电路图。BAS21LT3采用SOT-23封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
