9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N457TR，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N457TR参考价格0.32000美元。onsemi 1N457TR包装/规格：DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35。您可以下载1N457TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N457TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N457A_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@60V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供70V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA电流平均整流Io，电容Vr F为8pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N457ATR是DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在70V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=，包装设计为在切割带（CT）交替包装中工作，以及DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度接合范围为175°C（最大值）。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有25nA@60V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为8pF@0V，1MHz。
1N457A是DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35，包括8pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于150MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@70V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为散装，设备以小信号=速度提供，设备具有DO-35供应商设备包，电压DC反向Vr Max为70V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
