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CD1408-F11000是DIODE GEN PURP 1KV 1A 1408，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如芯片、凹形端子，安装类型设计用于表面安装，以及1408供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1000V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为300 ns。
CD1408-F1200是DIODE GEN PURP 200V 1A 1408，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压DC反向Vr Max，提供了1.3V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计为在1408中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作300ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为300 ns，该设备为快速恢复整流器产品，该设备具有封装带和卷轴（TR），封装盒为芯片、凹形端子，其工作温度结范围为-65°C ~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为30 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
CD1403GS，带有CHMS制造的电路图。CD1403GS采用ZIP9封装，是IC芯片的一部分。
