9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计生产的PMEG3010ET、215，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMEG310ET，215参考价格$4.48000。Nexperia USA Inc.PMEG3010ET，215包装/规格：二极管SCHOTTKY 30V 1A SOT23。您可以下载PMEG310ET，215英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PMEG3010ESBYL，带有引脚细节，包括肖特基整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如2-XDFN，技术设计为在硅中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DSN1006-2供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为45μa@30V，正向电压Vf Max If为565mV@1A，直流反向电压Vr Max为30V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为3.2ns，电容Vr F为32pF@10V，1MHz，工作温度结范围为150°C（最大值），Pd功耗为1.78 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为495 mV，Vr反向电压为30 V，Ir反向电流为12 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为30V，Ifsm正向浪涌电流为10A，trr反向恢复时间为3.2ns。
PMEG3010ESBZ带用户指南，包括565mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在30V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DSN1006-2中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为3.2ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作2-XDFN封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为45μa@30V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为32pF@10V，1MHz。
PMEG310ET，带有NXP制造的电路图。PMEG310ET以SOT23封装形式提供，是二极管、整流器-单体的一部分。
