9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS2K-E3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS2K-E3/52T参考价格为0.44000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS2K-E3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA。您可以下载RS2K-E3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS2KA-13-F是DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA，包括RS2KA系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.002258盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.3V@1.5A，电压反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为800V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为500ns。
RS2KA-13是DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA，包括1.3V@1.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMA中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为500ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
RS2KBF，电路图由东芝/VISHAY制造。RS2KBF在SMBF封装中提供，是IC芯片的一部分。
