9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVUS120VT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVUS120VT3G参考价格为0.49000美元。onsemi NRVUS120VT3G包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A SMB。您可以下载NRVUS120VT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVUD340T4G是二极管GEN PURP 400V 3A DPAK，包括开关模式？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于DPak-3，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，该设备提供1.15V@3A电压正向Vf Max。如果，该设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
NRVUD550PFT4G是DIODE GEN PURP 520V 5A DPAK，包括1.15V@5A正向电压Vf Max。如果它们设计为在520V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DPAK-3的供应商设备包，该DPAK-3提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计为在SWITCHMODE？下工作？，以及95ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@520V，电流平均整流Io为5A。
NRVUD620CTT4G是DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK，包括双共阴极配置，它们设计为在6 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175 C，最大浪涌电流设计为在50 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-65℃至+175℃，该器件采用D-PAK封装盒，该器件具有一卷包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为35 ns，系列为MURD620CT，单位重量为0.070548盎司，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200V。
NRVUD620CTG是整流器ULTRAFAST 200V 6A，包括管包装，它们设计用于MURD620CT系列。
