9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RF505BM6STL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RF505BM6STL参考价格$1.51000。Rohm Semiconductor RF505BM6STL封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 5A TO252。您可以下载RF505BM6STL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RF501B2STL是DIODE GEN PURP 200V 5A CPD，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63等封装盒功能，以及CPD供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件在200V时电流反向泄漏Vr为1μa，正向电压Vf Max If为920mV@5A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为150°C（Max），其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为5 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为30 ns。
RF501PS2STB是DIODE GEN PURP 200V 5A 8TSOP，包括920mV@5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于8-TSOP的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为30ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作8-SMD扁平引线封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件采用表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为5A。
RF501B2S TL，电路图由ROHM制造。RF501B2S TL采用TO-252封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
RF501B6S TL，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RF501B6S TL采用SOT252封装，是IC芯片的一部分。
