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SMMA511DJ-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表说明中显示了用于PowerPAKR SC-70-6 Dual的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件还可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为6.5W，该器件提供12V漏极到源极电压Vdss，该器件具有400pF@6V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4.5A，最大Id Vgs上的Rds为40mOhm@4.2A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@8V。
SMMB911DK-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-75-6L双供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如295 mOhm@1.5A，4.5V，Power Max设计为3.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-75-6L双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有115pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为4nC@8V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为2.6A。
带有电路图的SM-MA-MH，包括ISO18000-6B/C、IPX、EM4122、EM4444、EPC C1G2功能，它们设计用于860MHz~960MHz频率，数据表说明中显示了用于模块的封装情况，该模块提供散装、射频类型等封装功能，设计用于读/写，以及SkyeModule？M10系列，该装置也可用作模块供应商装置包。
