9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS82-GS08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS82-GS08参考价格$0.40000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS82-GS08封装/规格:DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80。您可以下载BAS82-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS81-GS18是二极管肖特基40V 30MA SOD80,包括汽车、AEC-Q101系列,设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表说明所示,用于磁带和卷轴(TR),提供单位重量功能,如0.001827盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80包装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备采用SOD-80 MiniMELF供应商设备包,该设备具有单一配置,速度为小信号=,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200nA@40V,电压正向Vf Max If为1V@15mA,电压直流反向Vr Max为40V,电流平均整流Io为30mA(DC),电容Vr F为1.6pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为125°C(最大),其最大工作温度范围为+125 C,其最小工作温度范围是-65 C,在0.015 A时Vf正向电压为1 V,Ir反向电流为0.2 uA,如果正向电流为0.03 A,Vrm重复反向电压为40V,Ifsm正向浪涌电流为0.5A。
BAS81-GS08是DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80,包括40V Vrm重复反向电压,它们设计为以1V@15mA电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max,其提供了0.015 a时的1V正向电压特性,该设备也可以用作SOD-80 MiniMELF供应商设备包。此外,速度为小信号=,该设备为BASxx系列,该设备具有肖特基二极管产品,包装为Digi-ReelR替代包装,包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80,其工作温度结范围为125°C(最大值),安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,它的最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+125℃,Ir反向电流为0.2 uA,Ifsm正向浪涌电流为0.5 A,Ifs正向电流为0.03 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200nA@40V,电流平均整流Io为30mA,配置为单一,电容Vr F为1.6pF@1V,1MHz。
BAS81,电路图由PHILIPS制造。BAS81采用SOD80LL34封装,是二极管、整流器-单体的一部分。