9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAT42W-E3-18,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAT42W-E3-18参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAT42W-E3-18封装/规格:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123。您可以下载BAT42W-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAT42W-7-F是二极管肖特基30V 200MA SOD123,包括BAT42系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表说明所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.000353盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SOD-123包装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在SOD-123供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为小信号=,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500nA@25V,电压正向Vf Max If为1V@200mA,电压直流反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为200mA(DC),反向恢复时间trr为5ns,电容Vr F为10pF@1V,1MHz,工作温度结范围为-55°C~125°C,Pd功耗为200mW,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1 V,25 V时Ir反向电流为0.5 uA,并且如果正向电流为0.2A,并且Vrm重复反向电压为30V,并且Ifsm正向浪涌电流为4A,并且trr反向恢复时间为5ns。
BAT42W-E3-08是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123,包括30V Vrm重复反向电压,它们设计为在650mV@50mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max,其提供了650 mV等Vf正向电压特性,单位重量设计为工作在0.000363盎司,该器件还可以用作Si技术。此外,供应商设备包装为SOD-123,该设备以小信号=速度提供,该设备具有BAT42W系列,反向恢复时间trr为5ns,产品为肖特基二极管,Pd功耗为200mW,包装为Digi-ReelR替代包装,包装箱为SOD-13,其工作温度结范围为125°C(最大值),安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+125℃,Ir反向电流为0.5 uA,Ifsm正向浪涌电流为4 A,如果正向电流为200 mA,二极管类型为肖特基,反向漏电流Vr为500nA@25V,电流平均整流Io为200mA(DC),配置为单,电容Vr F为7pF@1V,1MHz。
BAT42W-7是二极管肖特基30V 200MA SOD123,包括10pF@1V、1MHz电容Vr F,设计用于200MA(DC)电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于500nA@25V,提供肖特基等二极管类型功能,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~125°C,该装置也可用作SOD-123包装箱。此外,包装为切割胶带(CT),设备以5ns反向恢复时间trr提供,设备具有小信号=速度,供应商设备包装为SOD-123,电压DC反向Vr Max为30V,电压正向Vf Max If为1V@200mA。