9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS1FH10HM3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS1FH10HM3/H参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS1FH10HM3/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB。您可以下载SS1FH10HM3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS1F4HM3/I，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基整流器产品。数据表注释中显示了用于带卷（TR）替代包装的包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于eSMP，以及DO-219AB包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-219AB（SMF）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@40V，电压正向Vf Max If为520mV@1A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为85pF@4V，1MHz，工作温度结范围为175°C（最大值），最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为460 mV，Ir反向电流为150 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为40A。
SS1F4-M3/H带用户指南，包括520mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在40V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-219AB（SMF），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，其工作温度结范围为175°C（最大值）。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有150μa@40V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为1A，电容Vr F为85pF@4V，1MHz。
SS1F4-M3/I带电路图，包括85pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于150μa@40V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，其工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可用作DO-219AB包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-219AB（SMF）供应商设备包装，电压DC反向Vr最大值为40V，电压正向Vf最大值为520mV@1A。
