9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSAF510-M3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSAF510-M3/H参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSAF510-M3/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO221AC。您可以下载VSSAF510-M3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSSAF3N50-M3/6A，带引脚细节，包括TMBSR、SlimSMA？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-221AC、SMA扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-221A C（SlimSMA），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1mA@50V，该器件的电压正向Vf Max为400mV@1.5A。如果，该器件具有50V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为2.7A（DC），电容Vr F为570pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带用户指南的VSSAF3N50-M3/6B，包括400mV@1.5A正向电压Vf Max。如果设计为在50V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-221AC（SlimSMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计为在TMBSR、SlimSMA？、？，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为1mA@50V，电流平均整流Io为2.7A（DC），电容Vr F为570pF@4V，1MHz。
VSSAF3L45-M3/6B是二极管肖特基3A 45V DO-221AC，包括425pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于450μa@45V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它具有-40°C~150°C的工作温度结范围，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以VSSAF3L45-M3/6B零件别名提供，该设备具有TMBSR、SlimSMA？速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-221AC，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为540mV@3A。
VSSAF3L45-M3/6A是DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC，包括TMBSR系列，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，封装外壳设计用于DO-221AC、SMA扁平引线以及DO-221AA（SlimSMA）供应商设备封装，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，正向电压Vf Max If为540mV@3A，该器件提供45V电压DC反向Vr Max，该器件具有450μa@45V电流反向泄漏Vr，电容Vr F为425pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，电流平均整流Io为3A（DC）。
