9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGL41D-E3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGL41D-E3/97参考价格为0.55000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGL41D-E3/97包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB。您可以下载EGL41D-E3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGL41D-E3/96是DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
EGL41D/1带用户指南，包括1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-213AB中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计为在SUPERECTIFIERR中运行，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
EGL41D-E3/76，带有VISHAY制造的电路图。EGL41D-E3/76采用DO-213AB封装，是IC芯片的一部分。
