9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAS21HT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS21HT3G参考价格为0.39000美元。onsemi BAS21HT3G包装/规格：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323。您可以下载BAS21HT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BAS21HT3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BAS21HT1G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-76、SOD-323封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOD-323，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供250V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS21HT1是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在250V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOD-323，该SOD-323提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，以及切割带（CT）封装，该器件也可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
BAS21HLT1G，带有LRC/ON制造的电路图。BAS21HLT1G采用SOD-323封装，是IC芯片的一部分。
BAS21HT1H，带有LRC制造的EDA/CAD模型。BAS21HT1H采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
