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PMEG45T15EPDZ，带有引脚细节，包括肖特基整流器产品，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如3-SMD、扁平引线，技术设计用于硅，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作CFP15供应商设备包。此外，该配置为双公共阳极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@45V，正向电压Vf Max If为580mV@15A，直流反向电压Vr Max为45V，电流平均整流Io为15A，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为2200pF@1V，1MHz，工作温度结范围为150°C（最大值），Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为480 mV，Vr反向电压为45 V，Ir反向电流为30 uA，并且If正向电流为15A，Vrm重复反向电压为45V，Ifsm正向浪涌电流为210A，trr反向恢复时间为20ns 60ns。
PMEG45U10EPDZ带有用户指南，包括45 V Vrm重复反向电压，它们设计为在490 mV@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于45 V的直流反向电压Vr Max，提供了490 mV等正向电压特性，技术设计为在Si中工作，以及CFP15供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为34ns，该器件提供3.1 W Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为3-SMD，扁平引线，工作温度结范围为150°C（最大值），安装类型为表面安装，Ir反向电流为600 uA，Ifsm正向浪涌电流为180 a，如果正向电流为10A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为600μA@45V，电流平均整流Io为10A，电容Vr F为1170pF@1V，1MHz。
PMEG45U10EPDAZ带电路图，包括1170pF@1V，1MHz电容Vr F，它们设计用于10A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于20mA@10V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作3-SMD，扁平引线封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供16ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为CFP15，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为490mV@10A。
