9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N6481-E3/96，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6481-E3/96参考价格为0.48000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N6481-E3/96包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB。您可以下载1N6481-E3/96英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6480HE3/97是DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AB，MELF（玻璃）包装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A。
1N648-1是DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35，包括500 V Vr反向电压，它们设计为在1 V@400 mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于500V的电压直流反向Vr Max，其提供了1 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计为在DO-35中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该装置也可用作标准回收整流器产品。此外，Pd功耗为500 mW，该器件采用散装包装，该器件具有DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65℃至+175℃，工作温度结范围为-65℃至175℃，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为5 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为200 mA，如果正向电流为400 mA，二极管类型为标准，则反向泄漏电流Vr为50nA@500V，电流平均整流Io为400 mA。
1N6481带有TW制造的电路图。1N6481采用SMD封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
