9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V12PM12-M3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V12PM12-M3/86A参考价格为0.92000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V12PM12-M3/86A封装/规格：DIODE SCHOTTKY 12A 120V TO-277AC。您可以下载V12PM12-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V12PM12HM3_A/H，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在to-277A（SMPC）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500μA@120V，该器件的电压正向Vf Max为830mV@12A。如果，该器件具有120V的电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为4.1A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
V12PM12HM3_A/I带有用户指南，包括830mV@12A正向电压Vf Max。如果设计为在120V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为500μa@120V，电流平均整流Io为4.1A。
V12P8-M3/87A，带电路图，包括4.3A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@80V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-277，3-PowerDFN封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为Automotive、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为80V，电压正向Vf Max If为660mV@12A。
