9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MURA205T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURA205T3G参考价格为0.53000美元。onsemi MURA205T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 2A SMA。您可以下载MURA205T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURA160T3G是DIODE GEN PURP 600V 2A SMA，包括MURA160系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA，该设备为单一配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.25V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，1 A时Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为75 ns。
MURA205T3是DIODE GEN PURP 50V 2A SMA，包括940mV@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMA中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在30ns内运行，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@50V，电流平均整流Io为2A。
MURA160T3是二极管GEN PURP 600V 2A SMA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-214AC SMA封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的SMA，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.25V@1A。
