9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5615GP-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5615GP-E3/54参考价格0.68000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5615GP-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC。您可以下载1N5615GP-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5615是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有500nA@200V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.6V@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为45pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为25 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为25 A，恢复时间为150 ns。
1N5614US是DIODE GEN PURP 200V 1A D5A，包括1.3V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-5A的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2μs，以及散装包装，该器件也可以用作SQ-MELF封装盒，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，电流平均整流Io为1A。
1N5615GP（1N5615GP-E3/54），带有vishay制造的电路图。是IC芯片的一部分。
