9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RMPG06J-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RMPG06J-E3/54参考价格为0.39000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RMPG06J-E3/54包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06。您可以下载RMPG06J-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RMPG06J-E3/54价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RMPG06J-E3/100是DIODE GPP 1A 600V 200NS MPG06，包括Automotive、AEC-Q101、Superectifier系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带盒（TB），提供单位重量功能，如0.007125 oz，安装方式设计用于通孔，以及MPG06轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为MPG06，该设备为单一配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.3V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为40A，恢复时间为200ns。
RMPG06GHE3_A/73带用户指南，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为150ns，除了磁带盒（TB）替代包装外，该器件还可以用作MPG06轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz。
RMPG06J-E3/53是DIODE GPP 1A 600V 200NS MPG06，包括6.6pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可作为MPG06轴向封装外壳使用。此外，包装为磁带盒（TB），该设备提供200ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为MPG06，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.3V@1A。
