9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVUA140VT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVUA140VT3G参考价格为0.53000美元。onsemi NRVUA140VT3G包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 2A SMA。您可以下载NRVUA140VT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVTSM245ET1G，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于DO-216AA，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作Powermite供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为75μa@45V，电压正向Vf Max If为650mV@2A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为2A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为650 mV，Vr反向电压为45 V，Ir反向电流为75 uA，如果正向电流为2A，Vrm重复反向电压为45V，Ifsm正向浪涌电流为50 A。
带有用户指南的NRVTSM245ET3G，包括650mV@2A电压正向Vf Max，如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于Powermite的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-216AA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为75μa@45V，电流平均整流Io为2.2A。
带有电路图的NRVTSM260ET1G，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在12μa@60V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-216AA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的Powermite，电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为650mV@2A。
NRVTSM260ET3G带有EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供供应商设备封装功能，如Powermite，Speed设计用于快速恢复=20mA（Io），以及DO-216AA封装盒，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，正向电压Vf Max If为650mV@2A，该器件提供60V直流反向电压Vr Max，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，电流平均整流Io为2A，电流反向泄漏Vr为12μA@60V。
