9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGL34G-E3/83，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGL34G-E3/83参考价格$4.44000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGL34G-E3/83包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213。您可以下载EGL34G-E3/83英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGL34FHE3/98是DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.001199盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AA（玻璃）包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AA（GL34），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电压正向Vf Max If为1.35V@500mA，电压直流反向Vr Max为300V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.35 V，Vr反向电压为300 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500mA，最大浪涌电流为10A，恢复时间为50ns。
EGL34G/51是DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213，包括1.35V@500MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-213AA（GL34）的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-213AA（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
EGL34G是DZLTA制造的400V 0.5A汽车用2针微型MELF T/R二极管开关。EGL34G以LL34封装形式提供，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管开关400V 0.5A汽车2针迷你MELF T/R。
