9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1GHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1GHE3_A/I参考价格为0.46000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1GHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC。您可以下载US1GHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1GHE3/5AT是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于DO-214AC SMA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作10μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@1A，该设备提供400V电压DC反向Vr Max，该设备具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
US1GHE3/61T是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为50ns，除了Digi-ReelR封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
US1GHE3/61，带有VISHAY制造的电路图。US1GHE3/61采用D0-214AC封装，是单级二极管、整流器的一部分。
