9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS1H9-E3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS1H9-E3/5AT参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS1H9-E3/5AT封装/规格：DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214AC。您可以下载SS1H9-E3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS1H10-M3/5AT，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AC、SMA包装箱一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）以及肖特基二极管类型下工作，该器件还可以用作1μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为860mV@2A，该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
SS1H10-M3/61T是DIODE SCHOTTKY 1A 100V DO-214AC，包括860mV@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMA）的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及DO-214AC、SMA封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有1μa@90V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
SS1H9是二极管肖特基90V 1A DO214AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在90V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为175°C（最大值），以及DO-214AC，SMA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有90V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为770mV@1A。
