9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SD101BW-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SD101BW-E3-08参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SD101BW-E3-08封装/规格：DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123。您可以下载SD101BW-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SD101BWS-E3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000152盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SC-76、SOD-323包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-323供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@40V，电压正向Vf Max If为950mV@15mA，电压反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为30mA（DC），反向恢复时间trr为1ns，电容Vr F为2.1pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~125°C，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为950 mV，Ir反向电流为200 nA，以及如果正向电流为30mA，且Vrm重复反向电压为50V，且Ifsm正向浪涌电流为2A，且trr反向恢复时间为1ns。
SD101BWS-E3-08，带有用户指南，包括50 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1 V@15 mA电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，提供了950 mV等Vf正向电压特性，单位重量设计为在0.000152盎司的范围内工作，以及1 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为SOD-323，该设备以小信号=速度提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，反向恢复时间trr为1ns，产品为肖特基二极管，Pd功耗为150mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SC-76，SOD-323，其工作温度结范围为-55°C~125°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55C，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为200 nA，Ifsm正向浪涌电流为2 A，如果正向电流为30 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@40V，电流平均整流Io为30mA（DC），配置为单一，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
SD101BWS-7-F是二极管肖特基50V 15MA SOD323，包括2.1pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于15MA（DC），提供电流反向泄漏Vr特性，如200nA@40V，二极管类型设计用于肖特基，以及0.015 a如果正向电流，该器件也可以用作2A Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流在40 V时为0.2 uA，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，工作温度结范围为-65°C~125°C，封装外壳为SC-76、SOD-323，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为200mW，产品为肖特基二极管，反向恢复时间trr为1ns，系列为SD101，速度为小信号=，供应商器件封装为SOD-323，技术为Si，trr反向恢复时间为1 ns，单位重量为0.000173 oz，Vf正向电压为0.95 V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为950mV@15mA，Vrm重复反向电压为50V。
