9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE30AFJ-M3/6B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE30AFJ-M3/6B参考价格为0.47000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE30AFJ-M3/6B封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC。您可以下载SE30AFJ-M3/6B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE30AFJHM3/6A是DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SE30AFJ-M3/6A SE30AFJ M3/6B的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SlimSMA商品名，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-221AC（SlimSMA）供应商设备包中提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A（DC），反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为19pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为1.2 us。
SE30AFJ-M3/6A是DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供单位重量功能，如0.001129盎司，商品名设计用于SlimSMA，以及DO-221AC（SlimSMA）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为1.5μs，该设备的恢复时间为1.2 us，该设备具有产品标准恢复整流器，零件别名为SE30AFJHM3/6A SE30AF金华M3/6B，包装为Digi-ReelR交替包装，包装盒为DO-221AC，SMA扁平引线，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最大浪涌电流为35A，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为2A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@600V，平均整流电流Io为3A（DC），电容Vr F为19pF@4V，1MHz。
SE30AFJHM3/6B是DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC，包括19pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1.4A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供1.5μs反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-221AC，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.1V@3A。
