9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS360S-E3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS360S-E3/5BT参考价格为0.55000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS360S-E3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA。您可以下载MURS360S-E3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS360S-E3/52T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.003280盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB、，该设备也可以用作DO-214AA（SMB）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.45V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为75 ns。
带有用户指南的MURS360-M3/9AT，包括1.25V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为3A。
MURS360S，带有VISHAY制造的电路图。MURS360S采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
