9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS2H9-E3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS2H9-E3/52T参考价格为0.51000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS2H9-E3/52T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA。您可以下载SS2H9-E3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS2H10-M3/52T，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AA、SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AB（SMB）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供790mV@2A电压正向Vf Max。如果该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，则其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
SS2H10-M3/5BT，带用户指南，包括790mV@2A正向电压Vf Max。如果设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为2A。
SS2H9，带有VISHAY制造的电路图。SS2H9采用DO-214AA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
