9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSC8L45-M3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSC8L45-M3/9AT参考价格为0.62000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSC8L45-M3/9AT封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 4.9A DO214AB。您可以下载VSSC8L45-M3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSSC520S-M3/57T是DIODE SCHOTTKY 5A 200V DO-214AB，包括TMBSR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起使用，数据表说明中显示了用于DO-214AA、SMC的包装盒，该包装盒提供表面安装等安装类型功能，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为200μA@200V，该器件提供1.7V@5A电压正向Vf Max If，该器件具有200V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为5A（DC），电容Vr F为280pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
VSSC520S-M3/9AT，带用户指南，包括1.7V@5A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于TMBSR，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@200V，电流平均整流Io为5A（DC），电容Vr F为280pF@4V，1MHz。
带有电路图的VSSC8L45-M3/57T，包括1068pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3.8A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr，如数据表注释所示，用于1.6mA@45V，提供二极管型功能，如肖特基，安装型设计用于表面安装，它具有-40°C~150°C的工作温度结范围，该器件也可以用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备为TMBSR系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），直流反向电压Vr最大值为45V，正向电压Vf最大值为430mV@3.5A。
