9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-20ETS08-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-20ETS08-M3价格参考2.57000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-20ETS08-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC。您可以下载VS-20ETS08-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如VS-20ETS08-M3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
VS-20ETF12STRLPBF是DIODE INPUT 20A D2PAK，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装。数据表注释中显示了用于20ETF12STRPBF的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.070548盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB（D2PAK），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.31V@20A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为20A，反向恢复时间trr为95ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.31 V，Vr反向电压为1200 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为20 A，最大浪涌电流为355A，恢复时间为400ns。
VS-20ETF12STRRPBF是二极管输入20A D2PAK，包括1200V Vr反向电压，它们设计用于在1.31V@20A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了1200V（1.2kV）中使用的直流反向Vr Max，其提供了1.31 V等Vf正向电压特性，单位重量设计用于0.070548盎司，以及TO-263AB（D2PAK）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为95ns，设备提供400 ns恢复时间，设备具有产品快速恢复整流器，零件别名为20ETF12STRRPBF，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB，其工作温度结范围为-40°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-40 C，最大浪涌电流为355 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为20 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μA@1200V，并且电流平均整流Io为20A并且配置为Single。
带有电路图的VS-20ETF12STRR-M3，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为400ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263（D2Pak），直流反向电压Vr最大值为1200V（1.2kV），正向电压Vf最大值If为1.31V@20A。
