9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的UES1104，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UES1104参考价格为22.29000美元。Microchip Technology UES1104封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL。您可以下载UES1104英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UES1102SM是DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF，包括散装包装，它们设计用于通孔安装方式，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，A的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于A-MELF以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@100V，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有2.5A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为3.5pF@6V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
UES1103SM是DIODE GEN PURP 150V 2.5A A-MELF，包括975mV@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于A-MELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在25ns内运行，该器件也可作为SQ-MELF封装盒使用，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μA@150V，电流平均整流Io为2.5A。
UES1103是DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL，包括2.5A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作2μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供安装类型功能，如通孔，安装样式设计为在通孔中工作，它具有175°C（最高）的工作温度接合范围，该装置也可作为A轴向封装外壳使用。此外，包装是散装的，该设备以25ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为975mV@2A。
