9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWS12S-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWS12S-M3参考价格为3.12000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWS12S-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA。您可以下载VS-8EWS12S-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-8EWS08STRRPBF是DIODE整流器800V 8A DPAK，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用。数据表注释中显示了8EWS08STRRPBF中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.009185盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，它的工作温度范围为-55℃至+150℃，该器件也可以用作to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包，该设备具有单双阳极配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为200A。
VS-8EWS10STRLPBF是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为以1.3V@8A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.009185盎司，以及D-PAK（TO-252AA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为80ns，该设备在标准恢复整流器产品中提供，该设备具有零件别名的8EWS10STRLPBF，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+标签），SC-63，其工作温度结范围为-40°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为200 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为100μA@1000V，平均整流电流Io为8A，配置为单双阳极。
VS-8EWS10SPBF是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括单双阳极配置，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于50μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于8 a，以及50 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为200 A，最小工作温度范围是-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，封装为管，零件别名为8EWS10SPBF，产品为标准恢复整流器，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为D-Pak，单位重量为0.009185 oz，Vf正向电压为1.1 V，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.1V@8A，Vr反向电压为1000 V。
