9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWF02S-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWF02S-M3参考价格3.56000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWF02S-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA。您可以下载VS-8EWF02S-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-8ETX06SPBF是DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK，包括FRED PtR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供零件别名功能，如8ETX06SBF，单位重量设计为0.070548盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作FRED Pt商品名。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的D2Pak，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电压正向Vf Max If为3V@8A，电压DC反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为17ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为3 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为50uA，如果正向电流为8A，最大浪涌电流为110A，恢复时间为24ns。
VS-8ETX06STRLPBF是DIODE HYPERFAST 8A D2PAK，包括3V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、FRED PtR、，以及31ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为8A。
VS-8ETX06STRRPBF是DIODE HYPERFAST 8A D2PAK，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为17ns，该设备在Automotive、AEC-Q101、FRED PtR系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-263AB（D2PAK），电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为3V@8A。
