9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N2130AR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N2130AR参考价格为13.71000美元。GeneSiC半导体1N2130AR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5。您可以下载1N2130AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N2129AR是DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5，包括1N2129系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如28500 g，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为1.1V@60A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为60A，其工作温度结范围为-65°C~200°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为60 A，最大浪涌电流为1050 A。
1N2129A是DIODE GEN PURP 100V 60A DO5，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@60A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，该100V提供1.1 V正向电压特性，单位重量设计为1.005308盎司，以及DO-5供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N2129，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~200°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为1050 a，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为60A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为60A。
1N2130A是DIODE GEN PURP 150V 60A DO5，包括60A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如果正向电流功能，如60A，Ir反向电流设计为在10uA下工作，以及1050 a最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为螺柱，其工作温度连接范围为-65°C~200°C，装置具有DO-203AB、DO-5、包装箱螺柱，包装为散装，产品为标准回收整流器，系列为1N2130，速度为标准回收>500ns，>200mA（Io），供应商装置包装为DO-5，单位重量为1.005308盎司，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.1V@60A，Vr反向电压为150V。
