9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的150KR60A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。150KR60A参考价格46.69000美元。GeneSiC半导体150KR60A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA。您可以下载150KR60A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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150KR20A是DIODE GEN REV 200V 150A DO205AA，包括150KR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如3.527396盎司，安装方式设计用于螺柱，其工作温度范围为-40℃至+200℃，该装置也可用作DO-205AA、DO-8、螺柱包装箱。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备在DO-205AA（DO-8）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准型，反向极性，电流反向泄漏Vr为35mA@200V，电压正向Vf Max If为1.33V@150A，电压DC反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为150A，工作温度结范围为-40°C~200°C，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.33 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为35 uA，如果正向电流为150A，最大浪涌电流为3740A。
150KR100A是DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA，包括1.33V@150A正向电压Vf Max。如果设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-205AA（DO-8）中使用的供应商设备包，该DO-205AB提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~200°C，该设备为底盘螺柱安装安装型，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为24mA@1000V，电流平均整流Io为150A。
150KR40A是二极管GEN REV 400V 150A DO205AA，包括150A电流平均整流Io，它们设计为在35mA@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准反向极性，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C~200°C，以及DO-205AA、DO-8、螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-205AA（DO-8）供应商设备包中提供，该设备具有400V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.33V@150A。
