9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S5B-E3/57T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S5B-E3/57T参考价格为0.48000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S5B-E3/57T封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB。您可以下载S5B-E3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S5BC-13-F是DIODE GEN PURP 100V 5A SMC,包括S5BC系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.007408盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-214AB SMC包装箱,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为SMC,该设备为单一配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μa@100V,电压正向Vf Max If为1.15V@5A,电压直流反向Vr Max为100V,电流平均整流Io为5A,电容Vr F为40pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1.15 V,Vr反向电压为100 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为5 A,最大浪涌电流为100A。
S5BCTR带用户指南,包括1.15V@5A电压正向Vf Max,如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行,则供应商设备包如数据表说明所示,用于SMC(DO-214AB),提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),包装设计用于磁带和卷轴(TR),以及DO-214AA,SMC包装箱,其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为标准二极管类型,该器件具有10μa@100V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为5A,电容Vr F为40pF@4V,1MHz。
S5BC-13是DIODE GEN PURP 100V 5A SMC,包括40pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于5A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于10μa@100V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外,包装为切割胶带(CT),该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有供应商设备包的SMC,电压DC反向Vr Max为100V,电压正向Vf Max If为1.15V@5A。