9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1AFM-M3/6A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1AFM-M3/6A参考价格为0.46000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1AFM-M3/6A封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC。您可以下载S1AFM-M3/6A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1AFM-M3/6A，带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-221AC、SMA扁平引线包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如DO-221AA（SlimSMA），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1.47μs，电容Vr F为7.9pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S1AFM-M3/6B，包括1.1V@1A电压正向Vf最大值。如果它们设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了用于DO-221AC（SlimSMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.47μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为7.9pF@4V，1MHz。
带有电路图的S1AFK-M3/6B，包括7.9pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供1.47μs反向恢复时间trr，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-221AC（SlimSMA），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
S1AFL具有EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供封装外壳功能，如SOD-123F，供应商设备封装设计用于SOD-123F，以及Digi-ReelR替代封装，该装置也可用于汽车AEC-Q101系列，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置提供50V电压DC反向Vr Max，该装置具有4pF@4V，1MHz电容Vr F，反向恢复时间trr为2μs，电流反向泄漏Vr为1μa@50V，电流平均整流Io为1A，正向电压Vf Max If为1.1V@1A。
