9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVB2H100SFT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NRVB2H100SFT3G参考价格为0.61000美元。onsemi NRVB2H100SFT3G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FL。您可以下载NRVB2H100SFT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVB2045EMFST3G，带引脚细节，包括MBR2045EMFS系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于8-PowerTDFN、5引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为400μA@45V，该器件提供640mV@20A电压正向Vf Max。如果，该器件具有45V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为20A，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的NRVB2045EMFST1G，包括640mV@20A电压正向Vf Max。如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6）的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及8-PowerTDFN、5引线封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有400μa@45V的反向电流泄漏Vr，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的NRVB230LSFT1G，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@30V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~125°C，以及SOD-123F封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的SOD-123FL，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为430mV@2A。
