9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BAS116GW，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS116GW参考价格$0.02000。Nexperia USA Inc.BAS116GW封装/规格：BAS116GW-整流器二极管，85V。您可以下载BAS116GW英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS116-7-F是DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3，包括BAS116系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000282盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOT-23-3，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5nA@75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，电压直流反向Vr Max为85V，电流平均整流Io为215mA（DC），反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为0.25W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.25 V，0.15 A，Vr反向电压为85 V，在75V时Ir反向电流为0.005uA，如果正向电流为0.215A，最大浪涌电流为4A，恢复时间为3000ns。
BAS116E6327HTSA1是DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3，包括1.25V@150mA正向电压Vf Max。如果它们设计为在80V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PG-SOT23-3的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了1.5μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作116 BAS BAS116E6327XT E6327 SP000010194部件别名。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5nA@75V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAS116E6433HTMA1是DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于250MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5nA@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为150°C（最大值），该器件也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以1.5μs反向恢复时间trr提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为PG-SOT23-3，电压DC反向Vr最大值为80V，电压正向Vf最大值为1.25V@150mA。
BAS116-7-99-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。BAS116-7-99-F在SOT23封装中提供，是IC芯片的一部分。
