9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE10FGHM3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE10FGHM3/H参考价格为0.47000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE10FGHM3/H封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB。您可以下载SE10FGHM3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE10FDHM3/I，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.005291盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及eSMP商标，它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外，封装外壳为DO-219AB，器件为表面安装型，器件具有DO-219A B（SMF）供应商器件封装，配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为780ns，电容Vr F为7.5pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为950mV，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为5uA，If正向电流为1A，最大浪涌电流为25A，恢复时间为780ns。
带有用户指南的SE10FD-M3/H，包括200 V Vr反向电压，它们设计为在1.05V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max，提供950 mV等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.005291盎司，以及eSMP商品名，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在eSMP系列中提供，该设备具有780ns的反向恢复时间trr，恢复时间为780 ns，产品为标准恢复整流器，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-219AB，其工作温度范围为-55 C至+175 C，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55C，最大浪涌电流为25A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为7.5pF@4V，1MHz。
带有电路图的SE10FD-M3/I，包括7.5pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表注释中显示了1A中使用的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@200V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175 C，该器件提供25 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-55 C，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-55°C~175°C，它的工作温度范围为-55 C至+175 C，包装箱为DO-219AB，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，产品为标准回收整流器，回收时间为780 ns，反向回收时间trr为780ns，系列为eSMP系列，速度为标准回收＞500ns，＞200mA（Io），供应商设备包为DO-219AB（SMF），商品名为eSMP，单位重量为0.005291 oz，Vf正向电压为950 mV，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，Vr反向电压为200 V。
