9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5059TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5059TR参考价格0.64000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5059TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57。您可以下载1N5059TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5059GP-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.012346盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AC、DO-15、，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AC（DO-15），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
1N5059TAP是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.15V@2.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压直流反向Vr Max，它提供了2.5A时1.15 V的正向电压特性，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为4μs，该设备的恢复时间为4000 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为磁带盒（TB），包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，电流平均整流Io为2A，配置为单一，电容Vr F为40pF@0V，1MHz。
1N5059GPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以2μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AC（DO-15），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.2V@1A。
