9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS360-E3/9AT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS360-E3/9AT价格参考0.73000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS360-E3/9AT封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载MURS360-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS360-E3/57T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB,包括超快恢复整流器产品,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.007443盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于DO-214AB、SMC、,除了表面安装型外,该设备还可以用作DO-214AB(SMC)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,正向电压Vf Max If为1.25V@3A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为75ns,其工作温度结范围为-65℃~175℃,最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围-65℃,Vf正向电压为1.28 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为10 uA,If正向电流为4 A,最大浪涌电流为125 A,恢复时间为75 ns。
MURS360BT3G是DIODE GEN PURP 600V 3A SMB,包括600 V Vr反向电压,它们设计为在1.25 V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max,提供1.25 V等正向电压特性,单位重量设计为0.006349盎司,以及SMB供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,该系列为MURS360BT3G,该设备提供75ns反向恢复时间trr,该设备具有75ns的恢复时间,产品为超快恢复整流器,包装为Digi-ReelR交替包装,包装箱为DO-214AA,SMB,其工作温度结区范围为-65°C~175°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-65℃,最大浪涌电流为100 A,最大工作温度范围+175℃,Ir反向电流为3 uA,如果正向电流为3 A,二极管类型为标准型,反向泄漏电流Vr为3μA@600V,平均整流电流Io为3A,配置为单一。
MURS340T3G是DIODE GEN PURP 400V 3A SMC,包括单一配置,它们设计用于3A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于10μa@400V,提供二极管类型功能,如标准,如果正向电流设计用于4 a,以及10μa Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+175℃。此外,最大浪涌电流为75 A,最小工作温度范围是-65℃,该器件具有安装类型的表面安装,安装类型为SMD/SMT,其工作温度结范围为-65°C~175°C,封装盒为DO-214AB,SMC,封装为Digi-ReelR交替封装,产品为超快恢复整流器,恢复时间为75ns,反向恢复时间trr为75ns;系列为MURS340,速度为快速恢复=20mA(Io);供应商设备包为SMC,单位重量为0.010582 oz,Vf正向电压为1.28V,电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.25V@3A,Vr反向电压为400V。