9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB8JT-E3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB8JT-E3/81价格参考1.63000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB8JT-E3/81封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB。您可以下载UGB8JT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如UGB8JT-E3/81价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
UGB8JT-E3/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB,包括超快速恢复整流器产品,它们设计用于管交替包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.063493盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB、,该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外,该配置为单双阴极,该设备的快速恢复速度为200mA(Io),该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为30μa@600V,正向电压Vf Max If为1.75V@8A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为8A,反向恢复时间trr为50ns,其工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-55°C,Vf正向电压为1.75 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为30 uA,If正向电流为8 A,最大浪涌电流为100 A,恢复时间为50 ns。
UGB8HTHE3/81是DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB,包括1.75V@8A电压正向Vf Max。如果设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为50ns、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为30μa@500V,并且电流平均整流Io为8A。
UGB8JCT-E3/31是VIHSAY制造的600V 8A 3引脚(2+Tab)TO-263AB T/R二极管开关。UGB8JCT-E3/31采用TO-263封装,是IC芯片的一部分,支持二极管开关600V 8A 3引脚(2+Tab)TO-263AB T/R。