9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SA2D-E3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SA2D-E3/61T参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SA2D-E3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC。您可以下载SA2D-E3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SA2D-E3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC，包括SAx系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供零件别名功能，如SA2D-E3/61T，单位重量设计为0.002258盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为3μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为11pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为3uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为55A，恢复时间为1500ns。
SA2B-M3/5AT和用户指南，包括1.1V@2A电压正向Vf Max，如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.5μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为3μa@1000V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为11pF@4V，1MHz。
SA2B-M3/61T带有电路图，包括11pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于3μa@100V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供1.5μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A。
