9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS160HE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS160HE3_A/H参考价格为0.53000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS160HE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA。您可以下载MURS160HE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如MURS160HE3_A/H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MURS160-E3/52T是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了MURS160-E3/5BT中使用的零件别名，该MURS160/E3/5BT提供单位重量功能，如0.006349盎司，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.25V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为2A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为35A，恢复时间为75ns。
MURS160-E3/5BT是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在1.25 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.25 V正向电压特性，单位重量设计为0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以75ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，零件别名为MURS160-E3/52T，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准型，反向泄漏电流Vr为5μA@600V，平均整流电流Io为2A，配置为单一。
MURS160-E3-55T，带有VISHAY制造的电路图。MURS160-E3-55T采用SMBDO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
MURS160-F，带有LITELFUSE制造的EDA/CAD模型。MURS160-F采用DO214AA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
